中国造不出光刻机？中科大副院长：美国造不出，中国永远都不可能

2024年9月，中科大前副院长朱士尧在一次访谈中，说出了一句引发全网热议的话：“美国造不出，中国永远都不可能”。

 

在中美科技较劲、美国一直卡我们半导体脖子，不让我们搞光刻机技术的情况下，这话听着就格外扎心。

很多人疑惑，作为一个见证并推动中国科技成长的行业前辈，他为什么要唱衰中国？

 

咱先把光刻机的底子扒清楚，这东西的复杂程度，远超普通人想象。

光刻机是芯片制造的核心设备，其核心功能是将电路图案精准转移到硅片上。它的精度单位达到纳米级，一纳米仅为头发丝直径的十万分之一。

当前最先进的极紫外光刻机（EUV），需要用波长 13.5 纳米的极紫外光完成图案雕刻，这种光线的产生过程堪称人类工程学的极限。

 

产生极紫外光需要高能激光每秒五万次轰击直径 30 微米的锡滴，将其加热至数十万摄氏度形成等离子体。

这个过程的能量转换效率仅 1%，其余 99% 的热量必须依靠航天级冷却系统散发。更苛刻的是，极紫外光会被空气和玻璃完全吸收，整个光刻过程必须在超高真空环境中进行。

 

光学系统是这类设备的另一道难关，EUV 光刻机搭载 11 面反射镜，每面镜子的表面粗糙度需控制在 0.1 纳米以内，相当于原子直径的几分之一。

德国蔡司公司为攻克这一技术，花费了二十年时间迭代工艺，最终才形成无法轻易复制的制造诀窍。

单台 EUV 光刻机重量超过一百八十吨，集成十万多个零件，涉及光学、真空、精密机械等数十门前沿学科。

荷兰 ASML 公司作为全球唯一能量产 EUV 光刻机的企业，自己也仅掌握不到 10% 的核心技术，其余 90% 依赖全球五千多家供应商协作。

 

美国在光刻机领域同样存在明显短板，其光源技术依赖收购的美国 Cymer 公司，但主脉冲激光仍需从德国通快独家采购。

德国蔡司的反射镜、日本的特种材料，这些关键部件美国企业均无法自主生产。朱士尧的言论，本质是点出全球产业分工的现实 —— 没有任何国家能单独完成高端光刻机的全链条制造。

 

朱士尧的专业背景让他的观点更具说服力，这位 1963 年考入中科大核反应堆工程专业的学者，曾在美国威斯康星大学、荷兰科学院从事研究，后来担任中科大研究生院副院长，退休后还在华为工作十年，覆盖五十多个国家的员工培训。

他深耕物理领域数十年，亲眼见证过全球科技协作的深度，其言论并非否定中国能力，而是提醒行业尊重产业规律。

 

中国光刻机的自主之路早已起步，2002 年成立的上海微电子，如今已成为国产光刻机的核心力量。

该企业的 90 纳米级光刻机已实现规模生产，年销量超过五十台，国内市场份额占比超 80%。

2025 年 5 月，上海微电子交付首台 28 纳米浸没式 DUV 光刻机，批量生产后的良率稳定在 95%，可满足汽车电子、消费电子等领域的芯片制造需求。

 

国内产业链的配套能力正在快速提升，北京华卓精科研发的纳米级双工件台，精度已达到 1.7 纳米，市占率超过 60%。科益虹源量产的 193 纳米深紫外激光器，订单已排至 2026 年。

投影物镜、光刻胶等关键材料相继通过验证，良率均突破 90%，国产化率从早期的 30% 提升至 45%。

美国的技术封锁反而倒逼中国加速突破，2019 年以来，美国持续施压荷兰禁售 EUV 光刻机，2022 年进一步扩大外国产品管制范围，2025 年荷兰又限制先进深紫外机型出口。这些措施没有阻挡中国前进的步伐，反而让国内企业更加坚定自主研发的决心。

 

2026 年 1 月，上海微电子在长三角半导体产业峰会上官宣，28 纳米浸没式 DUV 光刻机将于当年全面量产。首台设备已进入中芯国际产线跑片，每小时可处理 250 片晶圆，效率超过 ASML 同级机型。

更令人振奋的是，基于 LDP 技术路线的 EUV 原型机 Hyperion 1 已进入试产阶段，预计 2026 年三季度完成量产验证。

 

国家层面的支持为自主研发注入强大动力，集成电路产业投资基金三期首期 930 亿元已到位，重点扶持光刻机上游产业链。

华为牵头成立技术联盟，共享专利资源，推动企业间协同创新。北京、上海、深圳三地形成研发联动，围绕光源、光学系统、精密机械等关键环节集中攻关。

 

朱士尧的言论引发热议，本质是公众对科技自立的迫切期待与产业发展规律之间的认知碰撞。他并非唱衰中国，而是指出一个客观事实：高端科技产品的研发需要长期积累和全球协作，不能仅凭情绪蛮干。中国科技界从未否认差距，而是以务实态度一步步缩小差距。

从 90 纳米到 28 纳米，从 DUV 到 EUV 原型机，中国光刻机的每一步突破都实打实。中芯国际、长江存储等企业规划新增 30 条 12 英寸产线，未来几年对浸没式光刻机的需求将超过 200 台，这为国产设备提供了广阔的应用场景。

 

国际市场格局正在发生微妙变化。2025 年三季度，中国大陆市场占 ASML 净系统销售额的 42%，成为其最大单一市场，但所售设备均为落后八代的 2013 年水平机型。

上海微电子的 28 纳米设备，价格仅为进口产品的三分之一，体积小 30%，功耗低 40%，在性价比上形成明显优势。

 

中国的目标并非闭门造车，而是构建自主可控的产业链生态。2025 年，中国科学院发布光刻胶新材料突破，可支持更高分辨率制造。彤程新材成功进入台积电供应链，标志着国产材料获得国际认可。这些进展证明，中国正在以自身节奏，一步步打破技术垄断。

 

朱士尧的话像一面镜子，照见了科技发展的复杂性，也照见了公众的焦虑与期待。中国从不缺乏攻坚克难的决心，从两弹一星到北斗卫星，从高铁技术到 5G 通信，无数实例证明，只要找对方向、持续投入，就没有迈不过的坎。

 

光刻机的自主之路注定漫长，可能需要十年甚至二十年的持续攻关。但现在的中国，已经在关键环节取得突破，形成了完整的研发体系和产业链雏形。我们既要正视与国际顶尖水平的差距，也要看到自主研发的曙光和底气。

 

科技竞争的本质是耐心和毅力的比拼。朱士尧的言论提醒我们，尊重产业规律、避免盲目乐观同样重要。中国正在用实际行动证明，所谓 “永远都不可能”，终将被 “一步步实现” 的现实打破。

未来的某天，当国产 EUV 光刻机实现量产，我们或许会更明白，那位老学者的 “扎心言论”，其实是最清醒的鞭策。